金屬的純度是相對于雜質而言的

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發布時間：2020-09-18 10:35
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金屬的純度是相對于雜質而言的

　　金屬的純度是相對于雜質而言的，廣義上雜質包括化學雜質（元素）和物理雜質（晶體缺陷）。物理雜質主要是指位錯及空位等，而化學雜質是指基體以外的原子以代位或填隙等形式摻入。但只有當金屬純度達到很高的標準時（如純度9N以上的金屬），物理雜質的概念才是有意義的，所以生產上一般以化學雜質的含量作為評價金屬純度的標準，即以主金屬減去雜質總含量的百分數表示，常用N（nine的第一個字母）代表，如99.9999%寫為6N，99.99999%寫為7N。

　　目前高純金屬純度的表示方式主要有兩種：一種是以材料的用途來表示，如“光譜純”、“電子級純”等；另一種是以某種特征來表示，例如半導體材料用載流子濃度，即1立方厘米的基體元素中起導電作用的雜質個數來表示，而金屬主要用剩余電阻率RRR和純度級R表示純度。

　　隨著材料加工技術水平的提高，金屬的純度在不斷提高，但要制備絕對純的金屬是不可能的。所謂的“高純”和“超純”具有相對的含義，是指技術上達到的標準。由于科學技術的發展，也使得“高純”和“超純”的標準在不斷升級。例如過去高純金屬的雜質為ppm級（即百萬分之幾），超純半導體材料的雜質為ppb級（十億分之幾），而現在己經逐步發展到以ppb級（十億分之幾）和ppt級（一萬億分之幾）來表示。同時各個金屬的提純難度不盡相同，如半導體材料中稱9N以上為高純，而難熔金屬達6N己屬超高純。

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